温熔炉中。

熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。

这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的n+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住n-漂移层中的电子流失。

高温退火的过程是三个小时左右。

从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳粉。

处理完成后的碳化硅晶材的n-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。

这一步完成后，韩元才松了口气。

碳化硅晶体管中最难处理的n-漂移层他已经制备完成了。

剩下的，明天再来处理就行了。

和直播间里面观众打了个招呼，他便停下了直播。

n-漂移层处理完成后，剩下的工作相对而言就简单多了。

当然，这只是针对他制造的这种碳化硅晶体管来说的。

如果是现代化的集成芯片，后面还需要注入p阱、p+接触区、n+接触点、p-区域等一些列的步骤。

麻烦程度可不止一点半点的。

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