新刷上一层石蜡镀层，再次进行掺杂注入。

按照标准流程，以他制造出来的铝离子溶液的浓度需要进行重复六次的掺杂注入才能在碳化硅晶体底层形成一层可用的n-漂移层。

所以他还需要再重复五次掺杂注入，耗时最少要五个小时以上。

一下午，韩元就守在了化学实验室中，不断的重复着铝离子掺杂的过程。

当然，大部分的普通人对于这种事情看一遍看个新鲜也就差不多了。

不过直播间里面蹲守的那些科学家感兴趣的，其实也正是这个。

尽管离子掺杂技术在目前已经很成熟了，但韩元改进的‘电-热离子渗透法’却是一种全新的方式。

而且似乎还是一种可以应用到芯片基座上注入离子层的方式。

和韩元手中没有关键性的仪器不同，有实力复核他的实验的国家和实验室手中基本都有相应的实验仪器和鉴定仪器。

更关键的是，他们还拥有足够的人手。

可以一边完全按照直播进行复刻实验，另一边则将阶段性的成果拿到专业的检验仪器上进行鉴定成果。

华国，京城，一间实验室大门被人匆忙推开，一个青年手中拿着一叠a4纸张匆忙的闯了进来。

都来不及喘息，青年就扬起了手中的资料大声喊道。

“组长，碳化硅晶材铝离子的渗透检测........结果出来了，这结果....结果太不可思议了。”

从呼吸的急促就可以判断出来，这个青年是一路跑过来的。

灯光明亮的实验室中，听到声音后，另一名正在按照直播进行再次掺杂铝离子的中年男子迅速起身走过去，从青年手中接过资料翻阅了起来。

“一次渗透率为1.01325x10-15md。”

“二次渗透率为1.78314x12-15