硅片上。

正确执行这道工艺流程的关键设备，就是光刻机。

起初，所有的光刻机都采用的是所谓“干式”，既以空气为介质的微影技术，这一技术一直沿用到二十世纪90年代，当然，随着技术的不断进步，镜头分辨率越来越高，所用光源的波长越来越短，能加工的晶圆尺寸也越来越大，工作过程也越来越自动化——就像摩尔定律遵循的那样，制造芯片对应的制程工艺也越来越细，从微米级一直下探到了纳米级。

但忽然有一天，就碰到了无法突破的壁垒，在65纳米制程上卡壳了。

因为，在很长一段时间内，人类无法突破光刻光源的技术瓶颈，只能使用波长为193nm的光源，却对升级成157nm波长光源所遇到的一系列问题束手无策。

尽管当时全世界动员了无数的科学家，众多企业和财团为此投入了海量的金钱，但，受到当时基础材料发展及工业加工能力的限制，还是没能迅速解决问题，当时的半导体业界甚至称157nm“是一堵墙”，让所有有志于尝试突破的人都撞得头破血流，这一卡，就是十多年，直到进入了二十一世纪。

其实，在业界，早有人为此提出了解决方案，1986年，此时还在ibm从事成像技术研究的林本兼提出了一个天才的想法：他认为缩短波长的最佳方案是由“干式微影技术”转向“浸润式”。

但，就像历史上曾经多次重演过的一样，过于领先的天才想法注定得不到认同，当时整个半导体界还没在光源的波长面前撞墙并吃到苦头，他的“浸润式”技术方案无人问津。

直到2001年，林本兼离开了ibm并加入了台积电，已经完善了 “浸润式光刻机”理论的他接连发表了三篇重量级的学术论文，在论文中他指出：既然157nm难以突破，为什么不退回到技术成熟的193nm，把透镜和硅片之间的介质从空气换成水