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第九十六章 大佬来了(2 / 5)

全面超过你们。

到了那个时候,攻守易型,就不是我们求着你,而是伱求着我们了。

想到这里,陈念心里又升起了浓浓的紧迫感。

他跑到卫生间快速洗了个澡,休息几分钟之后,重新又坐到了书桌前。

硅材料学习的进度已经不算慢,现在他已经熟练掌握了有关晶体几何学的全部基础,进入了第四部分晶体缺陷部分的学习。

其中他最关注的就是位错缺陷和氧化雾缺陷,因为这是单晶硅制造过程中最常见的缺陷,主要受流程和设备影响导致。

搞清楚其中的原理,说不定可以让单晶炉的解析源点要求有所下降……

于是,接下来的两个小时内,陈念把所有与晶体材料有关的知识全部都复习了一遍,知识点全部记牢,原理和应用方式也烂熟于心。

但当他打开系统去看单晶炉的解析需求时,却发现解析源点需求没有一点变化。

这又是怎么回事?

不应该啊。

陈念皱起眉头,疑惑地看着自己刚刚记下的笔记。

难道是信息密度不够?

但按照他之前的经验,如果是强相关的知识,对“降价”的加成还是挺大的,不应该一点反应都没有。

哪怕有0.001,也算是正常情况吧。

或者……是需要应用?

想到这里,陈念思索了片刻,重新拿起笔开始在纸上写字。

“单晶炉技术要点1:由于杂质可导致孪晶、嵌晶、孔洞、夹杂物、氢致缺陷、cop等缺陷,所以单晶炉内部清洁极为重要,需要保证主炉室、隔离阀、副炉室气密性,在目前技术条件下,可以选择用过氟橡胶进行真空密封……”

“单晶炉技术要点2:单晶生长过程中如果热场温度梯度过大,晶体中产生较大热应力,则会导致晶体内部发生位错缺

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