终其原因，还是我们发展的时间太短了，人家上百年的技术积累，又岂是那么容易被我们赶上的。

完全依靠国产设备，最多也只能达到90nm级别，如果想做出10nm芯片，就必须依靠多次曝光。

而多次曝光，绝对是事倍功半的方式。

“先生，我们……”

梁松抬头，看着众人，摇摇头：“……再去联系一下魔都微电子那边吧，希望他们能有办法……”

“是。”

今天是钉子科技被人打压，一旦钉子倒下，让那群人尝到了甜头，后面很有可能继续蹬鼻子上脸……

国产芯片突破，迫在眉睫。

“诶……”梁松深深的叹了口气。

他比任何人都清楚芯片制程的突破有多艰难，这绝不是一家企业，甚至一个国家能做到的，而是需要凝聚全球所有顶级科技才能可能。

对芯片而言，工作时电流从源极流向漏极，栅极相当于闸门，主要负责控制两端的通断，而电流会在途中损耗，因此栅极的宽度就决定了热损耗的多少，

表现出来的，就是手机常见的发热和功耗。

其中宽度越窄，功耗就越低。

而栅极的最小宽度，便是专业领域上的制程。

当前面临的最大问题是，当这个宽度逼近20nm时，此时的二氧化硅绝缘层就会变薄，从而出现“漏电”的问题。

漏电会导致电路错误和信号模糊。

为了解决信号模糊的问题，芯片又不得不提高核心电压，功耗再度增加，陷入死循环。

除此之外，当晶体管的尺寸逼近10nm时，会产生额外的量子效应，此时晶体管的特性会难以把控，芯片生产难度会成倍增加。

当初高通835首发时，就是遇到了这个问题，才导致出货时间延迟，对高通公司造成