罗离果断放弃了，这东西绝对不是现阶段可以买得起的！

然后他将目光锁定到5nm级别……这次是8厘米。

淦，放弃放弃！

然后是7nm……

14nm……

……

全部看完，罗离彻底无奈了。

以他目前的系统积分，居然只能买得起130nm级别的光刻机！还特么是duv光源！！

duv光刻机和euv光刻机能比？

寒碜谁呢？

duv光刻机大多采用的是波长为193nm级别的氟化氩准分子激光，或者波长为248nm的氟化氪准分子激光，单次曝光的极限制程在128nm到90nm之间，多次曝光虽然可以将精度提升至最高28nm，但却是以牺牲良品率为代价！

几乎每重复一次曝光，损坏的几率就增加一倍……靠duv光刻机想要造出28nm制程芯片，至少需要曝光5次以上！

先不说你连续曝光五次最终能成功几个，就算成功了，28nm也远远解决不了钉子现在的危机。

更别提暴增的材料成本了。

光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂，这东西在国内也无法制造。

在层层垄断下，光刻胶的进口量就那么多，其他厂商会允许你这么浪费？

在目前，duv光刻机受限于精度制程，已经无法满足后来14nm、7nm、5nm等更高制程的需求了，这时候就需要依靠euv光刻机。

euv光刻机采用的是一种13.5nm的极紫外光，可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。

用euv光刻机制造7nm级芯片，只需要曝光一次。

在现阶段，

国产芯片仅能满足日常生产生活的基础要求，高端光刻机