现了裂缝。

这个问题，在石墨烯薄膜中广泛存在。

这是一种释放压应力而产生的线性缺陷，普遍存在于石墨烯薄膜中。

与其说是裂缝问题，不如说是石墨烯晶材的‘褶皱’问题。

如果只是单纯的裂缝存在并不会影响石墨烯材料的品质，避开裂缝选取晶圆就行。

但裂缝周边扭曲的皱褶，会使石墨烯的电学性质大大降低。

目前华国处理石墨烯晶材生长过程中出现的‘褶皱’问题主要有三条途径：

第一，低温生长；

相比较高温生长环境，低温生长会极大的削弱石墨烯晶材的应力问题, 自然也就不会出现褶皱了。

第二、选用热膨胀系数低的单晶衬底；

第三、减弱石墨烯与衬底之间的界面相互作用。

这三个办法是华国研究了数年才找出来的方法，能解决掉石墨烯晶材上的皱褶问题，但同时也带来了新的麻烦。

那就是采用这三个方法处理石墨烯晶材的褶皱问题会显示石墨烯晶材生长的面积大小。

对于几乎没有催化活性的绝缘衬底，会导致石墨烯成核密度过高，生长速率过慢，单晶畴区尺寸多为百纳米级别，较少会出现微米、毫米级别的单晶材料。

而这个畴区尺寸的石墨烯单晶材料是无法用作石墨烯晶圆的。

如果说要批量生产英寸级别的石墨烯晶圆的话，需要的时间又相当长，有些得不偿失。

毕竟碳基芯片的性能再优异，也是需要一定的面积来支撑里面晶体管的数量的。

晶体管的数量提升不起来，这块芯片的性能也根本无法提升。

所以目前华国中科院成功研制出8英寸石墨烯晶圆片，使用的石墨烯单晶制备方法并不是化学气相沉积法。

而是使用的另外一种实验室制备法。