倍......

“第三次：输入75微安，集电14.7毫安，电流扩大197倍......”

“第四次：输入300微安，集电59.6毫安，电流扩大199倍......”

“........”

十几次测试下来，最终的结果以表格的方式呈现在一张纸上。

碳化硅晶体管放大电信号的稳定性出乎了韩元的意料，也震惊到了直播间中蹲守收看的科研人员。

三位数的电流扩大效应并不算什么，但电流扩大的稳定性效应却及其可怕。

上下波动不超过五倍，这简直难以让人相信。

如果说这是集成芯片上的晶体，那做到这种地步的确是有可能的。

但别忘了，这是一枚及其简陋的碳化硅晶体管。

制造过程他们全程都看在眼中，这名主播没有使用任何高精密仪器，也没有使用光刻胶、单晶硅等尖端材料。

最高层次的技术，莫过于在制造n-漂移层时使用‘电热离子渗透法’。

“如果说，将这种技术应用到芯片的硅基底上会怎么样？”

在震惊过后，研究这一方面的科研学家脑海中都冒出来了一个大胆的想法。

毕竟晶体管的碳化硅基底的制造和芯片硅基底的制造在某些程度上是有相同步骤的。

比如铝离子的注入，沟槽的侵蚀，这些东西都完全可以应用起来。

更关键的是，这名主播制造p型硅的时候，使用的是多晶硅！

多晶硅和单晶硅虽然只有一字之差，但两者的制造难度截然不同。

如果能用多晶硅来代替单晶硅当做芯片的硅基的话.......

想到这，所有科研学者的呼吸不由自主的沉重了起来。

........

模拟空间中，韩