晶体板。

但这并不代表他不能使用集成晶体的制造方式来制造碳化硅晶体管。

相对比原始晶体管，这种方式制备的碳化硅半导体晶体管体积更小，也更加稳定。

而且因为应用了集成电路的侵蚀镀刻，在功率、响应效率和使用寿命上也更加强大。

如果说原始的晶体管需要五千颗才能达到每秒百万次的运算量的话。

那这种碳化硅晶材加特殊手法制备的晶体管大概两千多颗就够了。

虽然数量上还是很庞大，但相对比电子管动辄百万颗的数量来说，两千颗晶体管已经很少了。

等待了三十分钟，韩元将被侵蚀的差不多的碳化硅晶材用清水清晰干净，然后再重复几次这个步骤。

氢氟酸虽然能侵蚀碳化硅，但需要多次重复侵蚀才能达到他的要求。

需要的时间自然就很漫长了。

耗费了一上午的时间，三十颗粗加工的碳化硅晶材才处理完成。

这些晶材依旧使用功能的不同，形状不同，被侵蚀的部位也不同，而且需要侵蚀的程度也不同。

处理好这些碳化硅晶材后，韩元先弄了点午餐，吃完后就立刻回到了实验室，并没有按照以前的方式休息一会。

他现在想尽快完成这个二级任务。

回到化学实验室，韩元从储物间中取出来硫酸、硝酸等一些下午需要用材料。

“昨天我跟大家讲过了，三晶体管一共有三层，每一层的物质组成结构和作用都不同。”

“上午我处理好的碳化硅晶材，就是一层，也是碳化硅晶体管的主体。”

“而现在，我要来给主体来添加另外两层极点了。”

“这次我制备的晶体管，从功能上来说，属于信号放大晶体管。”

“所以我需要按照昨天讲解的方式，给他添上n-漂